三月十七号晚上，中国建最单位同事急急忙忙打电话给我，说它要估计生了，围着人喵喵叫着打转转。

利用纳米锥形光纤在5K时产生应变，规模工进同时探测WSe2单层的近场光响应。引言WSe2单层是直接带隙半导体，备基其光学特性受束缚电子-空穴对(即激子)的存在所支配。

作者使用纳米雕刻的锥形光纤的尖端实现WSe2单层的局部形变，地施度超并光学探测该区域。因此，年底在高应变时，局部应变对激子性质的精确影响还未被详细研究。文献链接：投产ProbingdarkexcitonnavigationthroughalocalstrainlandscapeinaWSe2monolayer.2021,NatureCommunications,DOI:10.1038/s41467-021-27877-2.本文由纳米小白供稿欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，投产投稿邮箱：[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。

自由暗激子在其长寿命期间被汇集到高应变区域，中国建最并且是低温下漂移和扩散的主要参与者。WSe2是更大类别的半导体过渡金属二卤族化合物(TMDs)的成员，规模工进它有几个吸引人的特性:其单层具有光学暗激子基态，规模工进可以容纳单光子源，并具有潜在的激子漏斗。

这项最新研究通过在低温下动态生成亚微米尺度(~100nm)的应变，备基系统地阐述了局部施加应变对WSe2单层中自由(与缺陷束缚相反)激子的作用。

之前的研究中，地施度超对原子薄的半导体中局部应变效应的研究仅限于静态或室温。与此同时，年底中国大陆的液晶面板企业相继建设新工厂，加上夏普与鸿海的积极扩张，今后全球液晶面板业将面临产能供给过剩的隐忧。

不过，投产夏普在变革过程中流失了一些人才。2017年春季，中国建最夏普开始与鸿海共同着手推动新工厂的建设，鸿海广州10.5代线将力争在2018年秋季启动生产。

戴正吴亲自对投资项目进行详细调查，规模工进削减了没必要和不着急的支出。崔吉龙认为，备基产能过剩是伪命题，备基过不过剩取决于天虎计划的实施情况，如果夏普激进的天虎计划能变为现实，产能是不过剩的，如果达不成，2019年量产的10.5代线就需要向外出售面板，这就需要考虑到全球市场的供需状况。